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HiPerFAST TM IGBT
IXGN 200N60B
V CES
I C25
V CE(sat)
= 600 V
= 200 A
= 2.1 V
E
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
SOT-227B, miniBLOC
V CES
V CGR
V GES
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
600
600
± 20
V
V
V
G
E
V GEM
I C25
I L
Transient
T C = 25 ° C
Terminal Current Limit
± 30
200
100
V
A
A
C
E
I C90
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 2.4 ?
Clamped inductive load, L = 30 μ H
T C = 25 ° C
120
400
I CM = 200
@ 0.8 V CES
600
-55 ... +150
150
A
A
A
W
° C
° C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
International standard package
miniBLOC
Aluminium nitride isolation
T stg
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
-55 ... +150 ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current, fast switching IGBT
Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
AC motor speed control
BV CES
I C
= 1 mA , V GE = 0 V
600
V
DC servo and robot drives
DC choppers
V GE(th)
I C
= 1 mA, V CE = V GE
2.5
5.5
V
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
I CES
I GES
V CE = V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
2
± 400
μ A
mA
nA
power supplies
Advantages
Easy to mount with 2 screws
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
2.1
V
Space savings
High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98606B(08/04)
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相关代理商/技术参数
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功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN320N60A3
功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N30A3
功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N60A3
功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N60B3
功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGN40N60CD1
功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube